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東京大学・ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 サイトマップ English ホーム 研究機構 機構長挨拶 組織図 量子イノベーション協創センター 量子ドットラボ 沿革 研究推進組織 研究開発項目 活動・報道 主要成果・報道 研究 受賞 報道 活動 新刊 ニュースレター 新聞報道 人材教育 講義情報 フォトニクス・イノベーション共創プログラム 問い合わせ 東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 機構概要 新着情報 機構概要 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構は、ナノ科学技術や情報科学に立脚したイノベーション創出および人材育成を目的に、東京大学が2006年10月に設立した学内横断組織です。異分野融合を図るほか、機構内組織である量子イノベーション協創センターでは、シャープ、NEC、日立製作所、富士通研究所、QDレーザ、PETRAの6協働機関が各東大企業ラボを設置し、場とビジョンを共有しながら、イノベーション創出を図っています。また、この分野の俯瞰的人材育成を図るべく、産学連携による横断的教育プログラムも長年に渡り実践してきています。 シンポジウム案内 機構は量子技術と半導体が拓く未来社会を2022年12月19日開催します。詳細内容・参加申込については案内ページをご参照ください。 新着情報 【研究】2024年05月13日 強誘電体二酸化ハフニウムジルコニウム中における不揮発屈折率変... 竹中充教授らの研究グループは強誘電体の二酸化ハフニウムジルコニウム(ZrHfO2)に外部電界を加えることで生じる不揮発的屈折率変調を世界で初めて観測することに成功しました。透過電子顕微鏡による詳細分析でこの不揮発的屈折率変調はZrHfO2中の自発分極の変化が要因であることも解明しました。さ... […] --> 【研究】2024年05月13日 シリコン膜からの熱放射の倍増に成功ーー半導体デバイスの排熱問... 野村政宏教授らの共同研究グループはシリコン膜表面をわずかに酸化させるだけで、熱放射を倍増させることに成功しました。シリコン膜表面をわずかに酸化させることで、酸化膜界面の格子振動により表面フォノンポラリトンという光と格子振動の連成波を熱励起し、シリコン膜からの熱放射を倍増させま... […] --> 【研究】2024年04月22日 トリウム229の原子核励起状態の寿命を初めて決定　　ーー「原子核... 香取秀俊教授らの共同研究グループは、「原子核時計」実現につながるトリウム229のアイソマー状態の寿命を初めて決定することに成功しました。原子核時計は「原子核」遷移の共鳴周波数を基準とし、環境ノイズの影響を受けにくく、既存の原子時計を上回る正確さが期待されています。今回、同グループ... […] --> 連絡先 〒153-8505東京都目黒区駒場4-6-1 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構事務局 03-5452-6920 03-5452-6921 nquine＠iis.u-tokyo.ac.jp 関係部局 東京大学生産技術研究所 東京大学大学院工学系研究科 東京大学大学院情報理工学系研究科 東京大学大学院理学系研究科・理学部 東京大学先端科学技術研究センター 東京大学物性研究所 東京大学総合文化研究科 Copyright © 2006 - 2024 Institute for Nano Quantum Information Electronics (NanoQuine), The University of Tokyo, All Rights Reserved.